近日，在国际知名光伏媒体TaiyangNews主办的“2023太阳能光伏组件创新技术峰会“上，作为N型技术的引领者，一道新能发布了重磅消息，其N型技术大提速，基于高密度激光i-SE与ut-polySi技术叠加的TOPCon3.0高效电池和组件全面量产，大规模量产TOPCon电池平均效率达到25.2%以上，最高量产效率达到25.6%，一道新能的TOPCon3.0蕴含着哪些独门绝技？

一道新能产业化DAON TOPCon太阳电池效率分布（%）

技术双核：i-SE技术和ut-polySi技术

据一道新能首席技术官宋登元博士介绍，从2019年第1条TOPCon研发和生产线建立，一道新能持续加大在N型技术领域科技投入力度，持续引领N型技术发展，已经研发成功三代技术路线。此次发布的TOPCon3.0是在2.0基础上的全面升级。2.0技术是以多主栅16BB技术和超高发射极方块电阻的为技术特征，背面通过SiOx/掺杂PolySi消除金属与硅接触复合，正面通过16BB多主栅与超细金属栅线叠加超高发射极方块电阻，增强了钝化效果，大幅降低了表面的光反射，提升了太阳电池效率。

一道新能DAON TOPCon电池技术路线

然而进一步提升效率最大的瓶颈是提升TOPCon电池前表面短波长光谱的利用率和背表面长波光谱的利用率。一道新能通过多年的技术积累，研发成功了具有自主知识产权的高能量激光i-SE（industry-selected emitter）产业化技术，有效的降低前表面光生载流子的复合，提升短波长光谱的利用率；而背面超薄ut-polySi（Ultrathin Poly Si）技术能有效的降低背面多晶硅层对长波长光谱的寄生吸收，大幅提升长波长光谱的利用率，这两种技术完美的结合攻克了TOPCon太阳电池效率提升的瓶颈，使短波长和长波长光量子效率分别提升了40.6%和15.3%，电池效率平均提升超过25.2%。

TOPCon3.0光量子效率的提升

核心技术：精密扩散与微量掺杂

电池正面i-SE的核心是实现金属栅线下面的局域的精密扩散，形成符合余误差函数的杂质分布，这涉及到在大规模工业化生产条件下的激光光斑的塑形技术、焦点控制技术、多物理场耦合技术以及硼杂质的源的沉积技术。一道新能通过高密度激光，精确控制焦点在硅片处的能量场分布和温度场分布，通过精密扩散形成了与激光能量分布一致的高浓度掺杂区。
电池背面超薄ut-polySi 硅技术的核心是沉积超薄的高质量多晶硅薄膜，同时在多晶硅薄膜中掺入少量的杂质原子。一方面薄的多晶硅可以降低红外光的寄生吸收，提升红外光的利用率，另一方面掺入少量的杂质原子能够提升SiOx/Poly-Si钝化接触性能，也能进一步降低对到达电池背面长波长光的吸收。TOPCon3.0使用低压化学气象沉积（LPCVD）超薄的高质量多晶硅薄膜，这是基于热分解的多晶硅薄膜生长技术，在所有的多晶硅生长方法中（PECVD、PVD等）具有最高的多晶硅质量。

一道新能TOCon3.0核心技术

DAONTM产品：全面升级

基于i-SE技术和ut-polySi技术提升TOPCon电池效率和可靠性，DAON N型产品的可靠性和功率全面升级。基于TOPCon3.0技术的“DAON”品牌全系列DAON Mini、DAON and DAON Pro N型高效组件，最高组件的效率高达22.8%，将给大规模地面电站、商业和工业屋顶以及户用分布式用户带来高的发电收益和投资价值。到2023年底，公司N型电池产能和组件产能将分别达到30GW。目前一道新能将进一步研发TOPCon4.0技术，使TOPCon电池的光电转换效率提升到26%以上。