先端の高効率不動態化接触技術を応用し、セル背面にナノトンネル酸化層とキャリア選択性輸送層を組み合わせた積層機能構造を導入しています。この技術により、従来の技術的な課題である導電性と不動態化性能の両立を実現し、セルの転換効率を著しく向上させることが可能となりました。

セルの正面にグラデーション誘電体膜技術を採用しています。この技術により、不動態化、反射低減、吸光などの効果を実現し、PID（ポテンシャルインデュースド・ディグレーション）対策機能を具備しています。また、この技術はセルをラミネートした後の色の変化を防止し、セルパネルの色調を一致させることで、モジュールの外観を均一かつ美しく保つことが可能です。

生吸収を減少させ、電流密度を著しく向上させています。また、裏面には階段型の立体形態を採用し、内部反射を高めるとともに、裏面の金属接触性能を改善してセルの効率と両面効果を向上させています。

初のエッジ不動態化技術を採用しています。この技術では、特殊な電界効果不動態化材料を使用してセルの側面を処理し、裂片後の不動態化層の損傷を修復し、さらに側面の欠陥を不動態化することで、セル裂片の効率損失を最小限に抑えています。

SMBBメタライズドテクノロジーを採用しており、より細いゲート線を使用することで遮蔽を減少させ、伝導距離を短縮しています。この技術により、直列抵抗を効果的に低減し、セルの亀裂やゲート遮蔽、破裂などの問題に対する許容範囲を向上させ、信頼性を高めています。

セルロスレス切断技術を採用しています。この技術により、機械的な損傷を防ぎながら、高効率かつ低汚染な切断を実現しています。さらに、この技術は166/182/210mmサイズのセルパネルとの互換性を持っています。

ハーフカットセル技術を採用しています。この技術により、セルの電流を半分にし、電気抵抗を低下させ、セルの間隔を拡大し、反射を均一化することができます。さらに、同じ遮蔽条件下では、ハーフカットセルモジュールのホットスポット温度はセルモジュール全体よりも20℃低くなります。また、SMBB技術と丸ワイヤーハンダテープを組み合わせることで、入射光の利用率を70%向上させ、パワーを1~~1.5%向上させることができました。